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當(dāng)前位置：首頁(yè) >> 技術(shù)支持ITO膜導(dǎo)電性能采用的指標(biāo)是方塊電阻，用R□表示。
R□與ITO的體電阻率及ITO膜厚有關(guān)。
如下圖是電流平行經(jīng)過(guò)ITO膜層的情形。圖中，d為膜厚；I為電流；L1為膜層在電流方向上的長(zhǎng)度；L2為膜層在垂直電流方向的長(zhǎng)度。
L2 L1 I d
當(dāng)電流流過(guò)上圖所示的方形導(dǎo)電膜層時(shí)，該層的電阻為：
R□ = d ρ
R=ρxxx L1 dL2
式中，R□單位為：(Ω/□)。
方塊電阻通常用四探針測(cè)試儀來(lái)測(cè)定。
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